2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 28 mΩ, 9.3 A 20 V, UDFN, Superficie Miglioramento, 7 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
165-8742
Codice costruttore:
DMN2014LHAB-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

9.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

UDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

0.6mm

Larghezza

2.05 mm

Lunghezza

3.05mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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