2 MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P -20 V, PowerDI3333-8 Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 246-6819
- Codice costruttore:
- DMP2040UND-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6819
- Codice costruttore:
- DMP2040UND-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -20V | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.9W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -20V | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.9W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drain a sorgente è di 20 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±12 V Tensione di soglia di gate bassa Bassa capacità di ingresso Bassa dispersione di ingresso/uscita
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