MOSFET DiodesZetex, canale P, 0.06 Ω, 5,3 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drain a sorgente è di 20 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±12 V Tensione di soglia di gate bassa Bassa capacità di ingresso Bassa dispersione di ingresso/uscita