MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 0.018 Ω Miglioramento, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMP3011SFVWQ-7
- Codice RS:
- 246-7527
- Codice costruttore:
- DMP3011SFVWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7527
- Codice costruttore:
- DMP3011SFVWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.018Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.018Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±25 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha una bassa tensione di soglia del gate. Offre un gate con protezione ESD
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