4 MOSFET DiodesZetex Quad, canale Tipo P, Tipo N, 1.45 Ω 100 V, SOT-223, Superficie Miglioramento, 8 Pin ZXMHC10A07T8TA

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7626
Codice costruttore:
ZXMHC10A07T8TA
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.45Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.95V

Dissipazione di potenza massima Pd

10.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Quad

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Il modello DiodesZetex è un MOSFET H-Bridge complementare di nuova generazione, dotato di bassa resistenza in stato attivo ottenibile con azionamento gate basso. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SM-8. Offre una commutazione rapida e una bassa capacità di ingresso. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 100 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V 2 canali N e 2 canali P in un contenitore SOIC Offre una bassa resistenza in stato attivo

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