MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 4,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-8002
Codice costruttore:: ZXMP6A17GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 4,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 922-8002
Codice costruttore:: ZXMP6A17GTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	17,7 nC a 10 V
Larghezza	3.7mm
Lunghezza	6.7mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 4,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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