MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 3,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2501
Codice costruttore:: ZXMN7A11GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 3,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

0,79 €

(IVA esclusa)

0,96 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 20	0,79 €	3,95 €
25 - 45	0,564 €	2,82 €
50 - 245	0,482 €	2,41 €
250 - 495	0,372 €	1,86 €
500 +	0,37 €	1,85 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 708-2501
Codice costruttore:: ZXMN7A11GTA
Costruttore:: DiodesZetex

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,8 A
Tensione massima drain source	70 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	7,4 nC a 10 V
Larghezza	3.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.8mm