MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 3,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2501
Codice costruttore:: ZXMN7A11GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 3,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 708-2501
Codice costruttore:: ZXMN7A11GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET N-ch 3.8A 70V SOT223
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,8 A
Tensione massima drain source	70 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.7mm
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	7,4 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 3,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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