MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
248-5815
Codice costruttore:
NTH4L060N065SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

NTH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L


Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) ON Semiconductor è un MOSFET a canale N con tensione di drenaggio da 650 V alla fonte e dissipazione di potenza di 176 W, contenitore TO247-4L e questo dispositivo è senza alogenuri e conforme a RoHS con esenzione 7a, senza piombo 2LI.

Carica gate ultra bassa 74 nC

Bassa capacità di 133 pF

Testato al 100% contro le valanghe

Temperatura 175°C

RDS(on) 44 mohm

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