MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 3 mΩ Miglioramento, 122 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT063N15N5ATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

3,87 €

(IVA esclusa)

4,72 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1810 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +3,87 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-3356
Codice costruttore:
IPT063N15N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

122A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

IPT

Tipo di package

HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il mosfet di potenza Infineon Optimos 5 è un mosfet a canale N che offre una resistenza in stato attivo molto bassa e una resistenza termica superiore. Questo dispositivo è privo di piombo (piombo) e alogeni. Viene fornito in un contenitore PG-HSOF-8 per montaggio superficiale.

Vds (tensione drain-source) è 150 V

Rds (max on) è 6,3 milliohm e Id è 122 A

Qdss e i valori Qg sono rispettivamente 131 nC e 47 nC

Link consigliati