MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ, 42 A, 3 Pin, TO-263, Superficie AUIRFR2407TRL
- Codice RS:
- 249-6874
- Codice costruttore:
- AUIRFR2407TRL
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-6874
- Codice costruttore:
- AUIRFR2407TRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET di potenza HEXFET di Infineon utilizzano le più recenti tecniche di lavorazione per ottenere una bassa resistenza di accensione per area di silicio. Questo vantaggio, unito alla rapida velocità di commutazione e alla struttura robusta per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare nel settore automobilistico e in un'ampia gamma di altre applicazioni.
Tecnologia planare avanzata
Bassa resistenza all'accensione
Valore nominale dinamico dv/dt
Temperatura d'esercizio 175 °C
Commutazione rapida
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