MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB80N06S4L07ATMA2

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

2,90 €

(IVA esclusa)

3,54 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 980 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 181,45 €2,90 €
20 - 481,295 €2,59 €
50 - 981,225 €2,45 €
100 - 1981,135 €2,27 €
200 +1,045 €2,09 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6904
Codice costruttore:
IPB80N06S4L07ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon OptiMOS è un MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche. Il canale di funzionamento è N. È qualificato AEC Q101. MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco. Prodotto verde (conforme a RoHS) ed è testato al 100% a valanga.

Temperatura d'esercizio 175 °C

Link consigliati