MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 7 Pin, TO-263, Foro passante
- Codice RS:
- 254-7660
- Codice costruttore:
- NTBG022N120M3S
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 254-7660
- Codice costruttore:
- NTBG022N120M3S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 58A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | NTB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 148nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 117W | |
| Tensione diretta Vf | 4.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 58A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie NTB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 148nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 117W | ||
Tensione diretta Vf 4.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
La serie NTB ON Semiconductor di MOSFET planari sic è ottimizzata per le applicazioni di commutazione rapida con una tecnologia planare che funziona in modo affidabile con l'azionamento di tensione di gate negativo e spegne i picchi sul gate. Questa famiglia ha prestazioni ottimali quando azionata con l'azionamento del gate da 18 V, ma funziona anche bene con l'azionamento del gate da 15 V.
Testato al 100% a valanga, densità di potenza migliorata, tensione di azionamento gate da 15 V a 18 V
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