MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 7 Pin, TO-263, Foro passante

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Codice RS:
254-7660
Codice costruttore:
NTBG022N120M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione diretta Vf

4.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

148nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L


La serie NTB ON Semiconductor di MOSFET planari sic è ottimizzata per le applicazioni di commutazione rapida con una tecnologia planare che funziona in modo affidabile con l'azionamento di tensione di gate negativo e spegne i picchi sul gate. Questa famiglia ha prestazioni ottimali quando azionata con l'azionamento del gate da 18 V, ma funziona anche bene con l'azionamento del gate da 15 V.

Testato al 100% a valanga, densità di potenza migliorata, tensione di azionamento gate da 15 V a 18 V

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