MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 7 Pin, TO-263, Foro passante

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Codice RS:
254-7662
Codice costruttore:
NTBG025N065SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

4.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

164nC

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, MOSFET in carburo di silicio (SiC) D2PAK-7L - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK−7L


La serie NTB di MOSFET in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, grazie alla bassa resistenza all'accensione e alle dimensioni compatte del chip. Garantisce una bassa capacità e una bassa carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Utilizzato nelle telecomunicazioni con carica gate ultra bassa, commutazione ad alta velocità e bassa capacità

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