MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 3 Pin, X1-DFN1006-3, Superficie
- Codice RS:
- 254-8623
- Codice costruttore:
- DMP2900UFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,029 € | 290,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 254-8623
- Codice costruttore:
- DMP2900UFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | X1-DFN1006-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 123nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.67 mm | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Lunghezza | 1.07mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package X1-DFN1006-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 123nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.67 mm | ||
Altezza 5.3mm | ||
Lunghezza 1.07mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile in interruttori di carico e
Bassa resistenza all'accensione, velocità di commutazione rapida, senza alogeni e antimonio
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