MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 3 Pin, X1-DFN1006-3, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*

290,00 €

(IVA esclusa)

350,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 16 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
10000 +0,029 €290,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
254-8623
Codice costruttore:
DMP2900UFB-7B
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

10.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

DMP

Tipo di package

X1-DFN1006-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

123nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.67 mm

Altezza

5.3mm

Lunghezza

1.07mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile in interruttori di carico e

Bassa resistenza all'accensione, velocità di commutazione rapida, senza alogeni e antimonio

Link consigliati