MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 3 Pin, X1-DFN1006-3, Superficie
- Codice RS:
- 254-8623
- Codice costruttore:
- DMP2900UFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*
290,00 €
(IVA esclusa)
350,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 23 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,029 € | 290,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 254-8623
- Codice costruttore:
- DMP2900UFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Tipo di package | X1-DFN1006-3 | |
| Serie | DMP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 123nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Lunghezza | 1.07mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Tipo di package X1-DFN1006-3 | ||
Serie DMP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 123nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.3mm | ||
Lunghezza 1.07mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile in interruttori di carico e
Bassa resistenza all'accensione, velocità di commutazione rapida, senza alogeni e antimonio
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie DMP2900UFB-7B
- Transistor DiodesZetex PnP -500 mA Superficie
- Transistor DiodesZetex DSS3540MQ-7B PnP -500 mA Superficie
- Diodo TVS DiodesZetex Superficie X1-DFN1006-3, 3 Pin
- Diodo TVS DiodesZetex Bidirezionale breakdown 3.8 V 3 Pin
- Diodo di protezione ESD DiodesZetex 2 breakdown 6 V 300 W 3 Pin
- Array diodi TVS DiodesZetex breakdown 6 V 300 mW 2 Pin
- Diodo di protezione ESD DiodesZetex Superficie X1-DFN1006-3, 3 Pin
