MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 3 Pin, X1-DFN1006-3, Superficie DMP2900UFB-7B
- Codice RS:
- 254-8624
- Codice costruttore:
- DMP2900UFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 25 unità*
5,025 €
(IVA esclusa)
6,125 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 8400 unità in spedizione dal 10 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | 0,201 € | 5,03 € |
| 500 - 975 | 0,072 € | 1,80 € |
| 1000 - 2475 | 0,052 € | 1,30 € |
| 2500 - 4975 | 0,051 € | 1,28 € |
| 5000 + | 0,05 € | 1,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 254-8624
- Codice costruttore:
- DMP2900UFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | X1-DFN1006-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 123nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 1.07mm | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package X1-DFN1006-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 123nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 1.07mm | ||
Altezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile in interruttori di carico e
Bassa resistenza all'accensione, velocità di commutazione rapida, senza alogeni e antimonio
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- Transistor DiodesZetex DSS3540MQ-7B PnP -500 mA Superficie
- Diodo TVS DiodesZetex Bidirezionale breakdown 3.8 V 3 Pin
- Transistor DiodesZetex PnP -500 mA Superficie
- Diodo di protezione ESD DiodesZetex Superficie X1-DFN1006-3, 3 Pin
- Array diodi TVS DiodesZetex Superficie X1-DFN1006-3, 2 Pin
- Diodo TVS DiodesZetex Superficie X1-DFN1006-3, 3 Pin
- Diodo di protezione ESD DiodesZetex Bidirezionale breakdown 16.5 V 250 W