MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 3 Pin, X1-DFN1006-3, Superficie DMP2900UFB-7B

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
254-8624
Codice costruttore:
DMP2900UFB-7B
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

10.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

X1-DFN1006-3

Serie

DMP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

123nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

1.07mm

Altezza

5.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile in interruttori di carico e

Bassa resistenza all'accensione, velocità di commutazione rapida, senza alogeni e antimonio

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