MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, 25 A 100 V, PowerDI5060-8 DMTH10H038SPDWQ-13
- Codice RS:
- 254-8660
- Codice costruttore:
- DMTH10H038SPDWQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 254-8660
- Codice costruttore:
- DMTH10H038SPDWQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PowerDI5060-8 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.7W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PowerDI5060-8 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.7W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET in modalità di potenziamento DiodeZetex è stato progettato per soddisfare i requisiti rigorosi delle applicazioni automobilistiche. È certificato AEC-Q101, supportato da un PPAP ed è ideale per l'uso in retroilluminazione, convertitori c.c.-c.c. e funzioni di gestione dell'alimentazione
Bassa resistenza all'accensione sul fianco del tavolo bagnato per una migliore ispezione ottica Bassa capacità di ingresso senza alogeni e antimonio
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