1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.0123 Ω, 46.2 A 40 V, PowerDI5060, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 213-9248
- Codice costruttore:
- DMTH4008LPDWQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
7,41 €
(IVA esclusa)
9,04 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,741 € | 7,41 € |
| 50 - 90 | 0,724 € | 7,24 € |
| 100 - 240 | 0,648 € | 6,48 € |
| 250 - 990 | 0,637 € | 6,37 € |
| 1000 + | 0,519 € | 5,19 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 213-9248
- Codice costruttore:
- DMTH4008LPDWQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 46.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | DMTH4008LPDWQ | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0123Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39.4W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 6.4 mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 46.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie DMTH4008LPDWQ | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0123Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39.4W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 6.4 mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
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