1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.0123 Ω, 46.2 A 40 V, PowerDI5060, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1047,50 €

(IVA esclusa)

1277,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 2500 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,419 €1.047,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
213-9247
Codice costruttore:
DMTH4008LPDWQ-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

46.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

DMTH4008LPDWQ

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0123Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

39.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Lunghezza

5.15mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.4 mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

DiodesZetex serie DMTH4008LPDWQ è un MOSFET doppio a canale N progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Viene utilizzato in funzioni di gestione dell'alimentazione, controllo di motori e convertitori c.c.-c.c.

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

Link consigliati