2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.0168 Ω 60 V, PowerDI5060-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin DMT69M9LPDW-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7559
Codice costruttore:
DMT69M9LPDW-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerDI5060-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0168Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore TO252. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±16 V Offre una bassa resistenza in stato attivo e una velocità di commutazione rapida Offre un fianco bagnabile per un'ispezione ottica migliorata Contenitore termicamente efficiente ideale per applicazioni con funzionamento più freddo

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