1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 44 mΩ, 33 A 60 V, PowerDI5060, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
206-0096
Codice costruttore:
DMNH6035SPDW-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMNH6035

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.75V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

5.8 mm

Altezza

1.05mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 60V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con una dissipazione di potenza termica di 2,4 W.

Il valore nominale a +175 °C è ideale per l'ambiente ad alta temperatura

Qg basso - riduce al minimo le perdite di commutazione

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