MOSFET Vishay, canale Tipo P -150 V, 0.79 Ω, -1.4 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie SI3437DV-T1-GE3

Questo MOSFET a canale p è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta tensione e i ruoli di gestione dell'alimentazione nei sistemi elettronici. È progettato per funzionare in un'ampia gamma di temperature per l'uso in apparecchiature industriali e commerciali, fornendo una conduzione controllata da gate per le applicazioni che richiedono una soglia gate-sorgente positiva in un ambiente a drain negativo.

• L'elevata tensione nominale consente la commutazione a 150 V per i circuiti di potenza • La bassa resistenza in stato attivo riduce al minimo le perdite di conduzione a 0,79 Ω • La capacità di corrente continua supporta carichi sostenuti fino a 1,4 A • La carica gate tipica di 8 nC consente un azionamento gate efficiente e una commutazione più rapida • La dissipazione di potenza massima di 3,2 W facilita il budget termico nei progetti compatti • La resistenza alla sorgente gate di 20 V consente un robusto margine di azionamento per le fasi di controllo

• Adatto per la commutazione del carico sincrono nei controller industriali • Ideale per la commutazione di polarità e lato alto nei sistemi di gestione dell'alimentazione • Utilizzato per la gestione della batteria nell'elettronica ausiliaria per uso automobilistico • Può essere utilizzato per fasi di convertitore c. c. - c. c. a bassa-media corrente • Utilizzato con assemblaggi compatti a montaggio superficiale in cui l'altezza è fondamentale

Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso in ampie condizioni ambientali e di giunzione elevata.

Il contenitore TSOP-6 a montaggio superficiale con sei pin facilita il posizionamento compatto e i percorsi di conduzione termica per progetti di potenza a ingombro ridotto.

Il gate deve essere azionato in un intervallo di ±20 V rispetto alla sorgente e la carica di gate tipica di 8 nC informa le dimensioni del driver per ottenere la velocità di commutazione desiderata.

È specificato per una corrente di drenaggio continua massima di 1,4 A e una dissipazione di potenza di 3,2 W, che deve essere utilizzata per dimensionare l'area di rame del circuito stampato e qualsiasi dissipatore di calore.