MOSFET Vishay, canale Tipo P -30 V, 0.0513 Ω, -6.4 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie SI3483DDV-T1-GE3

Codice RS:: 256-7359
Codice costruttore:: SI3483DDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P -30 V, 0.0513 Ω, -6.4 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie SI3483DDV-T1-GE3

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

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Codice RS:: 256-7359
Codice costruttore:: SI3483DDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	-6.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-30V
	Serie	SI3483DDV
	Tipo di package	TSOP-6
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0513Ω
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	4.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	16V
	Dissipazione di potenza massima Pd	3W
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id -6.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V
	Serie SI3483DDV
	Tipo di package TSOP-6
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0513Ω
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V
	Dissipazione di potenza massima Pd 3W
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

MOSFET serie SI3483DDV di Vishay, dissipazione di potenza massima di 3 W, tensione massima della sorgente di drenaggio di -30 V - SI3483DDV-T1-GE3

Questo MOSFET a canale p è un transistor di commutazione a montaggio superficiale progettato per il controllo elettronico della potenza in assemblaggi compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni a bassa tensione che richiedono una gestione della corrente moderata e una conduzione efficiente. Il dispositivo viene fornito in un contenitore TSOP-6 ed è specificato per ambienti di produzione standard RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa Rds(on) di 0,0513 Ω consente di ridurre le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua massima di -6,4 A supporta correnti di carico moderate
• La tensione nominale di drenaggio-sorgente di -30 V consente la commutazione a bassa tensione
• La soglia gate che consente Vgs fino a 16 V fornisce una gamma di azionamento flessibile
• La carica gate tipica di 4,5 nC consente una commutazione più rapida per una maggiore efficienza
• La dissipazione di potenza di 3 W limita il carico termico per progetti compatti

Applicazioni

• Utilizzato per la protezione contro l'inversione della batteria nell'elettronica portatile
• Adatto per la commutazione del carico nelle guide di distribuzione dell'alimentazione
• Ideale per la commutazione high-side nei sistemi di gestione della batteria
• Può essere utilizzato per circuiti di selezione del percorso di alimentazione USB
• Utilizzato con gate motore-driver in sistemi a bassa tensione

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso in condizioni ambientali difficili e a temperature elevate della scheda.

Quanti pin e quale stile di montaggio utilizza?

Il pacchetto è dotato di sei pin ed è progettato per il montaggio superficiale su schede popolate.

Quale tipo di canale e polarità di conduzione si devono prevedere?

Il transistor è un dispositivo a canale p, pertanto i ruoli di sorgente e drenaggio si allineano con le configurazioni di commutazione di tipo P.

È adatta ai requisiti standard del settore automobilistico?

Non è designato come componente standard per il settore automobilistico e non deve essere considerato conforme a specifici criteri di qualificazione per il settore automobilistico.