MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.85 mΩ, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
257-5527
Codice costruttore:
IRFH5301TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.85mΩ

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Larghezza

5 mm

Lunghezza

6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

Contenitore di potenza per montaggio superficiale standard industriale

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione di seguito <100 kHz

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Ampio portafoglio disponibile

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