MOSFET Infineon, canale N 100 V, 18 mΩ, 56 A, TO-252, Superficie IRFR3710ZTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5855
Codice Distrelec:
304-40-539
Codice costruttore:
IRFR3710ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

10.41mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Altre caratteristiche di questo design sono la temperatura di funzionamento della giunzione di 175°C, la velocità di commutazione e il miglioramento della valutazione delle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Tecnologia di processo avanzata

Resistenza di accensione estremamente bassa

Temperatura di funzionamento 175°C

Commutazione rapida

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

Molteplici opzioni di pacchetto

Senza piombo

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