MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 18 mΩ, 56 A, TO-252, Superficie IRFR3710ZTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5855
Codice Distrelec:
304-40-539
Codice costruttore:
IRFR3710ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

10.41mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

2.39 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Altre caratteristiche di questo design sono la temperatura di funzionamento della giunzione di 175°C, la velocità di commutazione e il miglioramento della valutazione delle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Tecnologia di processo avanzata

Resistenza di accensione estremamente bassa

Temperatura di funzionamento 175°C

Commutazione rapida

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

Molteplici opzioni di pacchetto

Senza piombo

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