MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 18 mΩ, 56 A, TO-252, Superficie IRFR3710ZTRPBF
- Codice RS:
- 257-5855
- Codice costruttore:
- IRFR3710ZTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,116 € | 10,58 € |
| 25 - 45 | 1,906 € | 9,53 € |
| 50 - 120 | 1,776 € | 8,88 € |
| 125 - 245 | 1,648 € | 8,24 € |
| 250 + | 0,846 € | 4,23 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5855
- Codice costruttore:
- IRFR3710ZTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 56A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 69nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 10.41mm | |
| Larghezza | 2.39 mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Distrelec Product Id | 304-40-539 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 56A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 69nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 10.41mm | ||
Larghezza 2.39 mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Distrelec Product Id 304-40-539 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Altre caratteristiche di questo design sono la temperatura di funzionamento della giunzione di 175°C, la velocità di commutazione e il miglioramento della valutazione delle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza di accensione estremamente bassa
Temperatura di funzionamento 175°C
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
Molteplici opzioni di pacchetto
Senza piombo
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