MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8.4 mΩ, 79 A, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 257-9267
- Codice costruttore:
- IRF1018ESTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
399,20 €
(IVA esclusa)
487,20 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 0,499 € | 399,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9267
- Codice costruttore:
- IRF1018ESTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 79A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.4mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 46nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 79A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.4mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore D2 Pak.
Migliore robustezza del gate, valanga e dv/dt dinamico
Capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga
Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata