MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8.4 mΩ, 79 A, TO-220, Superficie

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Codice RS:
257-9267
Codice costruttore:
IRF1018ESTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

79A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.4mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie IRF Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore D2 Pak.

Migliore robustezza del gate, valanga e dv/dt dinamico

Capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga

Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata

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