MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8 mΩ Miglioramento, 79 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 688-6800
Codice Distrelec:: 304-43-449
Codice costruttore:: IRF1018EPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8 mΩ Miglioramento, 79 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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*prezzo indicativo

Codice RS:: 688-6800
Codice Distrelec:: 304-43-449
Codice costruttore:: IRF1018EPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	79A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	110W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	46nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	9.02mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 79A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 110W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 9.02mm
	Standard automobilistico No

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