MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8 mΩ Miglioramento, 79 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 688-6800
- Codice Distrelec:
- 304-43-449
- Codice costruttore:
- IRF1018EPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
4,87 €
(IVA esclusa)
5,94 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 14 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,974 € | 4,87 € |
| 50 - 120 | 0,898 € | 4,49 € |
| 125 - 245 | 0,838 € | 4,19 € |
| 250 - 495 | 0,78 € | 3,90 € |
| 500 + | 0,72 € | 3,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 688-6800
- Codice Distrelec:
- 304-43-449
- Codice costruttore:
- IRF1018EPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 79A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 46nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 79A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 9.02mm | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon
MOSFET per controllo di motori
Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.
MOSFET raddrizzatore sincrono
La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF1018EPBF
- MOSFET Infineon 8.4 mΩ TO-220, Superficie
- MOSFET Infineon 8.4 mΩ TO-220, Superficie IRF1018ESTRLPBF
- MOSFET STMicroelectronics 79 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 2 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 16 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante