MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 270 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 688-7213
Codice costruttore:: IRLB3036PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 270 A, TO-220AB, Su foro

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Unità	Per unità	Per confezione**
2 - 18	2,945 €	5,89 €
20 - 48	2,71 €	5,42 €
50 - 98	2,535 €	5,07 €
100 - 198	2,355 €	4,71 €
200 +	2,18 €	4,36 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 688-7213
Codice costruttore:: IRLB3036PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	270 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	380 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	91 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 270 A, TO-220AB, Su foro

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