MOSFET Infineon, canale N 60 V, 2 mΩ Miglioramento, 270 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
688-7213
Codice Distrelec:
304-43-458
Codice costruttore:
IRLB3036PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

270A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +16V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Altezza

9.02mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 270 A - IRLB3036PBF


Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per la commutazione ad alta corrente e a bassa perdita in ambienti industriali. Si tratta di un dispositivo di potenziamento a canale N alloggiato in un contenitore TO-220 a foro passante, progettato per applicazioni che richiedono una notevole corrente di drenaggio continua e una robusta resistenza termica in un'ampia gamma di ambienti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Resistenza di accensione molto bassa di 2 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Elevata corrente di drenaggio continua di 270 A per gestire carichi pesanti
• Dissipazione di potenza massima di 380 W per la commutazione ad alta potenza
• Tensione nominale drain-source di 60 V per sistemi a tensione moderata
• Carica gate tipica di 91 nC che consente un comportamento di commutazione prevedibile

Applicazioni


• Adatto per le fasi di azionamento del motore nelle apparecchiature industriali
• Ideale per alimentatori e convertitori CC-CC
• Utilizzato con commutazione ad alta corrente nella gestione della batteria
• Può essere utilizzato per gli stadi di uscita dell'inverter in sistemi a media tensione

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?


Il dispositivo non deve superare ±16 V tra il gate e la sorgente per evitare lo stress da ossido di gate.

In che modo il campo termico influisce sull'implementazione?


Funziona tra -55 °C e 175 °C, consentendo l'uso in condizioni termiche difficili e scenari di giunzione rialzata.

Qual è la caratteristica di conduzione in avanti quando il diodo corpo conduce?


La tensione diretta è tipicamente di 1,3 V durante la conduzione del diodo, influenzando i calcoli della perdita negli intervalli sincroni o di rotazione libera.

Quali considerazioni sul contenitore e sul montaggio si applicano alla dissipazione del calore?


Viene fornito in un formato a foro passante TO-220 che facilita l'attacco diretto del dissipatore per una migliore gestione termica.

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