MOSFET Infineon, canale N 60 V, 2 mΩ Miglioramento, 270 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRLB3036PBF
- Codice RS:
- 124-9025
- Codice costruttore:
- IRLB3036PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 50 unità*
145,25 €
(IVA esclusa)
177,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 1000 unità in spedizione dal 03 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,905 € | 145,25 € |
| 100 - 200 | 2,237 € | 111,85 € |
| 250 + | 2,091 € | 104,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-9025
- Codice costruttore:
- IRLB3036PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 270A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 380W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -16V, +16V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 270A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 380W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Altezza 9.02mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 270 A - IRLB3036PBF
Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per la commutazione ad alta corrente e a bassa perdita in ambienti industriali. Si tratta di un dispositivo di potenziamento a canale N alloggiato in un contenitore TO-220 a foro passante, progettato per applicazioni che richiedono una notevole corrente di drenaggio continua e una robusta resistenza termica in un'ampia gamma di ambienti.
Caratteristiche e vantaggi:
• Resistenza di accensione molto bassa di 2 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Elevata corrente di drenaggio continua di 270 A per gestire carichi pesanti
• Dissipazione di potenza massima di 380 W per la commutazione ad alta potenza
• Tensione nominale drain-source di 60 V per sistemi a tensione moderata
• Carica gate tipica di 91 nC che consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Elevata corrente di drenaggio continua di 270 A per gestire carichi pesanti
• Dissipazione di potenza massima di 380 W per la commutazione ad alta potenza
• Tensione nominale drain-source di 60 V per sistemi a tensione moderata
• Carica gate tipica di 91 nC che consente un comportamento di commutazione prevedibile
Applicazioni
• Adatto per le fasi di azionamento del motore nelle apparecchiature industriali
• Ideale per alimentatori e convertitori CC-CC
• Utilizzato con commutazione ad alta corrente nella gestione della batteria
• Può essere utilizzato per gli stadi di uscita dell'inverter in sistemi a media tensione
• Ideale per alimentatori e convertitori CC-CC
• Utilizzato con commutazione ad alta corrente nella gestione della batteria
• Può essere utilizzato per gli stadi di uscita dell'inverter in sistemi a media tensione
Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?
Il dispositivo non deve superare ±16 V tra il gate e la sorgente per evitare lo stress da ossido di gate.
In che modo il campo termico influisce sull'implementazione?
Funziona tra -55 °C e 175 °C, consentendo l'uso in condizioni termiche difficili e scenari di giunzione rialzata.
Qual è la caratteristica di conduzione in avanti quando il diodo corpo conduce?
La tensione diretta è tipicamente di 1,3 V durante la conduzione del diodo, influenzando i calcoli della perdita negli intervalli sincroni o di rotazione libera.
Quali considerazioni sul contenitore e sul montaggio si applicano alla dissipazione del calore?
Viene fornito in un formato a foro passante TO-220 che facilita l'attacco diretto del dissipatore per una migliore gestione termica.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 270 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 270 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante SPP15P10PLHXKSA1
- MOSFET Infineon 270 A TO-220, Foro passante
- MOSFET Infineon 270 A TO-220, Foro passante IRFB3006PBF
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRLS3036TRLPBF
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFB3006PBF