MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 270 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRLS3036TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-1027
Codice costruttore:
IRLS3036TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

270A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

9.65mm

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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