MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 270 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRLS3036TRLPBF
- Codice RS:
- 130-1027
- Codice costruttore:
- IRLS3036TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
5,94 €
(IVA esclusa)
7,24 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 3336 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,97 € | 5,94 € |
| 20 - 48 | 2,615 € | 5,23 € |
| 50 - 98 | 2,435 € | 4,87 € |
| 100 - 198 | 2,26 € | 4,52 € |
| 200 + | 1,635 € | 3,27 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 130-1027
- Codice costruttore:
- IRLS3036TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 270A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 380W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Altezza | 9.65mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 270A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 380W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Altezza 9.65mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB120N06S402ATMA2
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB180P04P403ATMA2
- MOSFET Infineon 2.5 mΩ TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 2.5 mΩ TO-263, Superficie IRFS3006TRLPBF
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie
