MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 2 mΩ Miglioramento, 270 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 220-7342
- Codice costruttore:
- AUIRF2804STRL
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
1997,60 €
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2436,80 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,497 € | 1.997,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7342
- Codice costruttore:
- AUIRF2804STRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 270A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 270A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 20V-40V che utilizzano la nuova tecnologia OptiMOS in una varietà di contenitori per soddisfare un'ampia gamma di esigenze e ottenere RDS(on) fino a 0.6mΩ Optimos5 40V. La nuova tecnologia MOSFET di benchmark OptiMOS 6 e consente basse perdite di conduzione (Migliori prestazioni RDSon in classe), basse perdite di commutazione (migliore comportamento di commutazione), recupero diodo migliorato e comportamento EMC. Questa tecnologia MOSFET è utilizzata nei contenitori più Advanced e innovative per ottenere le migliori prestazioni e qualità del prodotto. Per la massima flessibilità di progettazione, i MOSFET qualificati per il settore automobilistico sono disponibili in una varietà di contenitori per soddisfare un'ampia gamma di esigenze. Infineon offre ai clienti un flusso costante di miglioramenti in termini di capacità di corrente, comportamento di commutazione, affidabilità, dimensioni del contenitore e qualità complessiva. Il mezzo ponte integrato di recente sviluppo è una soluzione innovativa e conveniente per applicazioni di azionamento motore e carrozzeria.
Advanced Process Technology
Bassissima resistenza in stato attivo
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
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