MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 162 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 220-7340
- Codice costruttore:
- AUIRF1404STRL
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
2420,80 €
(IVA esclusa)
2953,60 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,026 € | 2.420,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7340
- Codice costruttore:
- AUIRF1404STRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 162A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 162A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La Infineon AUIRF1404STRL è progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questa striscia. Il design planare dei MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Planar Technology
Classificazione DV/DT dinamica
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Completamente Avalanche
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Senza piombo, conformità a RoHS
Adatto per impieghi automobilistici
Link consigliati
- MOSFET e diodo Infineon 4 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie AUIRF1404STRL
- MOSFET Infineon 4 mΩ TO-263
- MOSFET Infineon 4 mΩ TO-263 IRF1404STRLPBF
- MOSFET e diodo Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 340 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 11.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 65 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie