MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 162 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
220-7340
Codice costruttore:
AUIRF1404STRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La Infineon AUIRF1404STRL è progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questa striscia. Il design planare dei MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Advanced Planar Technology

Classificazione DV/DT dinamica

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Completamente Avalanche

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo, conformità a RoHS

Adatto per impieghi automobilistici

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