MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 162 A, 3 Pin, TO-263, Superficie AUIRF1404STRL
- Codice RS:
- 220-7341
- Codice costruttore:
- AUIRF1404STRL
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7341
- Codice costruttore:
- AUIRF1404STRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 162A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 162A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La Infineon AUIRF1404STRL è progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questa striscia. Il design planare dei MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Planar Technology
Classificazione DV/DT dinamica
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Completamente Avalanche
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Senza piombo, conformità a RoHS
Adatto per impieghi automobilistici
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