MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 162 A, 3 Pin, TO-263, Superficie AUIRF1404STRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7341
Codice costruttore:
AUIRF1404STRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La Infineon AUIRF1404STRL è progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questa striscia. Il design planare dei MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Advanced Planar Technology

Classificazione DV/DT dinamica

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Completamente Avalanche

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo, conformità a RoHS

Adatto per impieghi automobilistici

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