MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB120N06S402ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9235
Codice costruttore:
IPB120N06S402ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.4mm

Lunghezza

10mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non applicabile

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ T2


OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS™ -T2 amplia le famiglie già esistenti OptiMOS™ -T e OptiMOS™.

I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica AEC

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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