MOSFET Infineon, canale Tipo N -20 V, 40 mΩ, -6.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 257-9309
- Codice costruttore:
- IRF7404TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
1768,00 €
(IVA esclusa)
2156,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,442 € | 1.768,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9309
- Codice costruttore:
- IRF7404TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -6.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -20V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Tensione diretta Vf | -1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33.3nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -6.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -20V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Tensione diretta Vf -1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33.3nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF di Infineon è la potente famiglia di mosfet di potenza IRFET ottimizzata per bassa RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Possibilità di saldatura a onda