MOSFET Infineon, canale Tipo N -30 V, 11.9 mΩ, -12 A, SO-8, Superficie IRF9388TRPBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

6,75 €

(IVA esclusa)

8,24 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3430 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,675 €6,75 €
100 - 2400,642 €6,42 €
250 - 4900,574 €5,74 €
500 - 9900,405 €4,05 €
1000 +0,304 €3,04 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-9336
Codice costruttore:
IRF9388TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

-12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.9mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRF Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale p da -30 V in un contenitore SO 8. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Link consigliati