MOSFET Infineon, canale Tipo N -30 V, 11.9 mΩ, -12 A, SO-8, Superficie IRF9388TRPBF
- Codice RS:
- 257-9336
- Codice costruttore:
- IRF9388TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,675 € | 6,75 € |
| 100 - 240 | 0,642 € | 6,42 € |
| 250 - 490 | 0,574 € | 5,74 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9336
- Codice costruttore:
- IRF9388TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.9mΩ | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id -12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.9mΩ | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale p da -30 V in un contenitore SO 8. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Contenitore per montaggio superficiale standard industriale
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz