MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13 mΩ Miglioramento, 57 A, SO-8, Foro passante IRF6644TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-9296
Codice costruttore:
IRF6644TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

57A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 100 V, corrente di drenaggio continua massima 57 A - IRF6644TRPBF


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N progettato per la commutazione e il controllo di potenza nei sistemi elettronici. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto SO-8 compatto per il montaggio su gruppi di circuiti stampati. Il dispositivo è adatto nei casi in cui è richiesta una gestione di corrente elevata e una modesta caduta del diodo in avanti, ed è conforme alle restrizioni ambientali RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione nominale di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 57 A supporta applicazioni con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 13 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza 89 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate di 28 nC consente requisiti di gate drive prevedibili

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC negli alimentatori
• Ideale per la rettifica sincrona in alimentatori switching
• Utilizzato con fasi di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la commutazione high-side o low-side
• Adatto per circuiti di bus intermedio e gestione dell'alimentazione

Qual è l'intervallo di temperatura d'esercizio ambiente consentito?


Funziona a un minimo di -55 °C fino a un massimo di 150 °C.

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante l'azionamento?


Il gate non deve superare ±20 V rispetto alla sorgente per evitare danni.

Come si comporta il diodo intrinseco nella conduzione in avanti?


Il diodo incorporato presenta una tensione diretta di 1,3 V durante la conduzione.

Quale imballaggio si deve prevedere per l'assemblaggio della scheda?


Viene fornito in un contenitore SO-8 a montaggio superficiale adatto per l'assemblaggio a saldare standard.

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