MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13 mΩ Miglioramento, 57 A, SO-8, Foro passante

Codice RS:: 257-9295
Codice costruttore:: IRF6644TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13 mΩ Miglioramento, 57 A, SO-8, Foro passante

Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*

5328,00 €

(IVA esclusa)

6480,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 18 gennaio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
4800 +	1,11 €	5.328,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 257-9295
Codice costruttore:: IRF6644TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SO-8
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	13mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	28nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	89W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SO-8
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 89W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRF6644TRPBF

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 100 V, corrente di drenaggio continua massima 57 A - IRF6644TRPBF

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N progettato per la commutazione e il controllo di potenza nei sistemi elettronici. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto SO-8 compatto per il montaggio su gruppi di circuiti stampati. Il dispositivo è adatto nei casi in cui è richiesta una gestione di corrente elevata e una modesta caduta del diodo in avanti, ed è conforme alle restrizioni ambientali RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione nominale di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 57 A supporta applicazioni con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 13 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza 89 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate di 28 nC consente requisiti di gate drive prevedibili

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC negli alimentatori
• Ideale per la rettifica sincrona in alimentatori switching
• Utilizzato con fasi di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la commutazione high-side o low-side
• Adatto per circuiti di bus intermedio e gestione dell'alimentazione

Qual è l'intervallo di temperatura d'esercizio ambiente consentito?

Funziona a un minimo di -55 °C fino a un massimo di 150 °C.

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante l'azionamento?

Il gate non deve superare ±20 V rispetto alla sorgente per evitare danni.

Come si comporta il diodo intrinseco nella conduzione in avanti?

Il diodo incorporato presenta una tensione diretta di 1,3 V durante la conduzione.

Quale imballaggio si deve prevedere per l'assemblaggio della scheda?

Viene fornito in un contenitore SO-8 a montaggio superficiale adatto per l'assemblaggio a saldare standard.