MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8.9 mΩ, 57 A, 8 Pin, SO-8, Superficie ISC0703NLSATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,80 €

(IVA esclusa)

8,30 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1915 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,36 €6,80 €
50 - 1201,212 €6,06 €
125 - 2451,128 €5,64 €
250 - 4951,06 €5,30 €
500 +0,978 €4,89 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
232-6755
Codice costruttore:
ISC0703NLSATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

57A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.9mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

44W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.35mm

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

1.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 60 V di Infineon è progettato per applicazioni con USB-PD e adattatori. I prodotti offrono tempi di consegna rapidi e ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Disponibilità a livello logico

Eccellente comportamento termico

Testato con effetto valanga al 100%

Link consigliati