MOSFET Infineon, canale N 60 V, 8.9 mΩ, 57 A, 8 Pin, SO-8, Superficie ISC0703NLSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
232-6755
Codice costruttore:
ISC0703NLSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

57A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.9mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

44W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.2mm

Altezza

5.35mm

Lunghezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 60 V di Infineon è progettato per applicazioni con USB-PD e adattatori. I prodotti offrono tempi di consegna rapidi e ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Disponibilità a livello logico

Eccellente comportamento termico

Testato con effetto valanga al 100%

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