MOSFET Infineon, canale Tipo N -12 V, 199 mΩ, -7.4 A, 8 Pin, SO-8
- Codice RS:
- 257-9307
- Codice costruttore:
- IRF7329TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 257-9307
- Codice costruttore:
- IRF7329TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -7.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -12V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 199mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±8 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -7.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -12V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 199mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±8 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è un mosfet di potenza HEXFET a doppio canale P da -12 V in un contenitore SO 8.
Conforme a RoHS
Basso RDS (on)
MOSFET doppio canale P