MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 15 mΩ, 46 A, TO-220, Foro passante IRFB4229PBF
- Codice RS:
- 257-9347
- Codice costruttore:
- IRFB4229PBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,285 € | 6,57 € |
| 20 - 48 | 2,955 € | 5,91 € |
| 50 - 98 | 2,76 € | 5,52 € |
| 100 - 198 | 2,565 € | 5,13 € |
| 200 + | 2,365 € | 4,73 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9347
- Codice costruttore:
- IRFB4229PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 46A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 72nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 46A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFB di Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 250 V in un contenitore TO 220. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Contenitore di alimentazione a foro passante standard industriale
Corrente nominale elevata
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile