MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 15 mΩ, 87 A, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 257-9368
- Codice costruttore:
- IRFB7740PBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,058 € | 52,90 € |
| 100 - 200 | 0,815 € | 40,75 € |
| 250 - 450 | 0,762 € | 38,10 € |
| 500 - 1200 | 0,709 € | 35,45 € |
| 1250 + | 0,656 € | 32,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9368
- Codice costruttore:
- IRFB7740PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 87A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 87A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFB di Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 75 V in un contenitore TO 220. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza.
Contenitore di alimentazione a foro passante standard industriale
Corrente nominale elevata
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile