MOSFET Infineon, canale N 40 V, 2.7 mΩ N, 158 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Codice RS:: 258-0709
Codice costruttore:: BSZ018N04LS6ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 2.7 mΩ N, 158 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

3795,00 €

(IVA esclusa)

4630,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 25 ottobre 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,759 €	3.795,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 258-0709
Codice costruttore:: BSZ018N04LS6ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	158A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	BSZ
	Tipo di package	TSDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	2.7mΩ
	Modalità canale	N
	Tensione diretta Vf	780mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	31nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	IEC 61249-2-21, RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 158A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie BSZ
	Tipo di package TSDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.7mΩ
	Modalità canale N
	Tensione diretta Vf 780mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 31nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSZ018N04LS6ATMA1

MOSFET Infineon serie BSZ, tensione massima drain-source 40 V, corrente di drenaggio continua massima 158 A - BSZ018N04LS6ATMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in stadi di potenza compatti. Offre una notevole capacità di drenaggio continuo ed è adatto per ambienti termici in un'ampia gamma. Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS ed è fornito in un contenitore TSDSON a 8 pin per assemblaggi di schede a basso profilo.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) molto bassa di 2,7 mΩ consente di ridurre le perdite di conduzione
• L'elevata dissipazione di potenza di 83 W consente un carico termico prolungato
• La carica gate tipica di 31 nC supporta un controllo di commutazione efficiente
• La bassa tensione diretta di 0,78 V riduce la caduta di tensione in stato attivo
• L'ampio intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C è adatto per condizioni difficili

Applicazioni

• Adatto per stadi di potenza da 40 V e 158 A nei convertitori CC-CC
• Ideale per i MOSFET SMD ad alta corrente negli alimentatori
• Utilizzato con layout a montaggio superficiale che richiedono un ingombro TSDSON a 8 pin
• Può essere utilizzato per la commutazione in moduli compatti ad alta potenza

Quale contenitore e numero di pin utilizza?

Viene fornito in un contenitore TSDSON con otto pin.

Quali sono i limiti di gestione dei gate che i progettisti devono rispettare?

Il dispositivo accetta fino a 20 V tra gate e sorgente.

Come si comporta a temperature variabili?

Funziona in un intervallo compreso tra -55 °C e 175 °C.

Questo dispositivo è adatto per gli standard automobilistici?

Non è specificato come conforme agli standard di livello automobilistico.