MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.7 mΩ N, 158 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ018N04LS6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0710
Codice costruttore:
BSZ018N04LS6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

158A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.78V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 6 da 40 V è ottimizzata per una varietà di applicazioni e circuiti, come ad esempio la rettifica sincrona in alimentatori switching in server, PC desktop, caricabatterie wireless, caricabatterie rapidi e circuiti ORing. I miglioramenti della resistenza allo stato attivo consentono ai progettisti di aumentare l'efficienza, consentendo una progettazione termica più facile e meno parallela, con conseguente riduzione dei costi del sistema.

Massima efficienza del sistema

Meno parallelo richiesto

Maggiore densità di potenza

Sovracorrente di tensione molto bassa

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