MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 29 mΩ, 69 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IPW65R029CFD7XKSA1
- Codice RS:
- 258-3911
- Codice costruttore:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3911
- Codice costruttore:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 69A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 29mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 305W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 145nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 69A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 305W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 145nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS CFD7 da 650 V nel contenitore TO-247 è ideale per le topologie di risonanza in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare e EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché una tensione di rottura aggiuntiva di 50 V.
Tensione di rottura 650 V
Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza
Minima dipendenza RDS(on) dalla temperatura
Eccellente robustezza resistente alla commutazione
Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus
Consente una maggiore densità di potenza
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