MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.9 Ω N, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2450,00 €

(IVA esclusa)

3000,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,49 €2.450,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
259-1478
Codice costruttore:
BSZ019N03LSATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9Ω

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale n Infineon, caratterizzato da una carica di uscita e gate ultrabassa, insieme alla più bassa resistenza allo stato attivo in contenitori di ingombro ridotto, rende Optimos 30V la scelta migliore per i requisiti più impegnativi delle soluzioni di regolatori di tensione in applicazioni di server, datacom e telecomunicazioni. I prodotti a 30 V optimos sono personalizzati per soddisfare le esigenze di gestione dell'alimentazione nei notebook grazie al miglior comportamento EMI e alla maggiore durata della batteria. Disponibile in configurazione a mezzo ponte.

Maggiore durata della batteria

Comportamento EMI migliorato che rende le reti snubber esterne obsolete

Risparmio sui costi

Risparmio di spazio

Riduzione delle perdite di potenza

Link consigliati