MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V P, 117 A, TO-263, Superficie IPF050N10NF2SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-2640
Codice costruttore:
IPF050N10NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

117A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPF

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

P

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET 2 sono ottimizzati per un'ampia gamma di applicazioni quali SMPS, azionamento di motori, alimentazione a batteria, gestione delle batterie, UPS e veicoli elettrici leggeri. Questa nuova tecnologia offre un miglioramento dell'RDS(on) fino al 40% e un Qg fino al 60% inferiore rispetto ai dispositivi StrongIRFET precedenti, il che si traduce in una maggiore efficienza energetica per prestazioni complessive del sistema migliori. Le correnti nominali più elevate consentono una maggiore capacità di trasporto della corrente, eliminando la necessità di parallelare più dispositivi, il che si traduce in costi BOM più bassi e risparmi sulla scheda.

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Eccellente rapporto prezzo/prestazioni

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse

Contenitore a foro passante con ingombro standard industriale

Corrente nominale elevata

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