MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5813
Codice costruttore:
IRF9540NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

117mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Tensione diretta Vf

-1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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