Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 165-5813
Codice costruttore:: IRF9540NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:: 165-5813
Codice costruttore:: IRF9540NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	23A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	117mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	73nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	110W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	-1.6V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	4.83mm
	Lunghezza	10.67mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	9.65mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 23A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 117mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 73nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 110W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf -1.6V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 4.83mm
	Lunghezza 10.67mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 9.65mm
	Standard automobilistico No

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