MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5813
Codice costruttore:
IRF9540NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

117mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon


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