MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
919-4886
Codice costruttore:
IRF9540NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

117mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

97nC

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.69 mm

Altezza

8.77mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 23 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRF9540NPBF


Questo MOSFET a canale P è destinato ad applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'elettronica e dell'automazione. Supporta una corrente di drain continua massima di 23A e una tensione drain-source di 100 V, migliorando l'efficienza del circuito. La configurazione in modalità enhancement consente un controllo accurato dell'uscita, rendendolo adatto a vari settori, tra cui le applicazioni elettriche e meccaniche.

Caratteristiche e vantaggi


• Gestisce una corrente di drenaggio continua fino a 23A per prestazioni robuste

• Tensione massima drain-source di 100 V per un funzionamento costante

• La bassa resistenza di drain-source massima di 117 mΩ ottimizza l'efficienza energetica

• Capacità di dissipazione di potenza fino a 140W per applicazioni intensive

• La carica tipica del gate di 97 nC a 10 V supporta la commutazione rapida

Applicazioni


• Impiegato nei circuiti di gestione dell'energia per una conversione efficiente dell'energia

• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per una regolazione accurata della velocità

• Integrato nei circuiti di alimentazione per migliorare l'affidabilità operativa

• Utilizzato in vari sistemi di automazione per funzioni di controllo efficaci

Qual è l'intervallo di temperatura per ottenere prestazioni ottimali?


L'intervallo di temperatura operativa va da -55°C a +175°C, consentendo un utilizzo efficace in diverse condizioni ambientali.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?


La tensione di soglia del gate varia tra 2V e 4V, garantendo un'attivazione affidabile e un funzionamento regolare in risposta ai segnali di controllo.

Che tipo di montaggio è necessario per l'installazione?


Questo MOSFET è progettato per il montaggio a foro passante, facilitando l'integrazione in diversi gruppi elettronici.

Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?


Sì, è adatto alle applicazioni di commutazione ad alta frequenza grazie alla bassa carica di gate e alle capacità di commutazione rapida.

Qual è il significato della bassa resistenza drain-source?


La bassa resistenza di drain-source, pari a 117 mΩ, migliora l'efficienza energetica complessiva riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento.

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