MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 23 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SPP80P06PHXKSA1
- Codice RS:
- 914-0194
- Codice Distrelec:
- 304-37-850
- Codice costruttore:
- SPP80P06PHXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 914-0194
- Codice Distrelec:
- 304-37-850
- Codice costruttore:
- SPP80P06PHXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 23mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 115nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 340W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.57mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Altezza | 15.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 23mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 115nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 340W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.57mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Altezza 15.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 80 A - SPP80P06PHXKSA1
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta corrente e ad alta temperatura. Funziona come transistor di potenziamento a canale p in un contenitore TO-220 a foro passante ed è adatto per la conversione di potenza e le attività di commutazione in cui è richiesta una robusta tolleranza termica. Il componente supporta il controllo a gate per una conduzione efficiente ed è progettato per l'uso in sistemi che richiedono una notevole corrente di drenaggio continua e temperature d'esercizio elevate.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 60 V consente la commutazione a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 80 A supporta carichi ad alta corrente
• La bassa Rds(on) di 23 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 115 nC bilancia l'energia di commutazione e di azionamento
• La dissipazione di potenza massima di 340 W consente un carico termico sostanziale
• La tolleranza gate Vgs±20 V consente margini di azionamento gate flessibili
• La corrente di drenaggio continua di 80 A supporta carichi ad alta corrente
• La bassa Rds(on) di 23 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 115 nC bilancia l'energia di commutazione e di azionamento
• La dissipazione di potenza massima di 340 W consente un carico termico sostanziale
• La tolleranza gate Vgs±20 V consente margini di azionamento gate flessibili
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente negli alimentatori
• Utilizzato per la rettifica sincrona nelle guide di alimentazione del server
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono la commutazione a canale P
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e i circuiti di commutazione del carico
• Adatto per ambienti sottoposti a stress termico fino a 175 °C
• Utilizzato per la rettifica sincrona nelle guide di alimentazione del server
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono la commutazione a canale P
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e i circuiti di commutazione del carico
• Adatto per ambienti sottoposti a stress termico fino a 175 °C
Quale intervallo di temperatura può resistere al funzionamento?
Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in sistemi ad alta temperatura.
Come deve essere gestito il calore quando funziona vicino alla massima dissipazione?
Per gestire il limite di 340 W, collegare un dissipatore idoneo alla linguetta TO-220 e garantire un flusso d'aria adeguato per ridurre la temperatura di giunzione.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate derivano dal valore di carica del gate?
Con una carica gate tipica di 115 nC, i driver devono fornire una corrente sufficiente per la velocità di commutazione desiderata, tenendo conto dell'aumento dell'energia di azionamento e delle potenziali perdite di commutazione.
In che modo la polarità del dispositivo influisce sulle scelte di topologia del circuito?
Come dispositivo di potenziamento del canale P, viene generalmente implementato sul lato alto dei percorsi di potenza in cui la tensione del gate può essere tirata più bassa rispetto alla sorgente per l'accensione.
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