MOSFET Infineon, canale N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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50 - 507,726 €386,30 €
100 - 1007,34 €367,00 €
150 +6,949 €347,45 €

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Codice RS:
222-4923
Codice costruttore:
IPP60R022S7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

IPP60R

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

900mV

Dissipazione di potenza massima Pd

390W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.36mm

Altezza

9.45mm

Larghezza

4.57mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon ottimizzato per basse perdite di conduzione, il MOSFET SuperJunction 600V CoolMOS™ S7 (IPP60R022S7) IN TO-220 offre la migliore RDS(ON) x prezzo per applicazioni a bassa frequenza di commutazione, come raddrizzatori a ponte attivi, stadi inverter, relè di spunto, PLC, linee CC HV, relè a stato solido di alimentazione e interruttori automatici a stato solido. Il MOSFET S7 CoolMOS™ 600V SJ raggiunge una maggiore efficienza energetica e riduce i costi BOM.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Aumentare l'efficienza energetica

Design più compatti e semplici

Eliminare o ridurre il dissipatore di calore nella progettazione a stato solido

Costo totale di proprietà (TCO) o costo della distinta materiali (BOM) ridotti

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