MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R022S7XKSA1
- Codice RS:
- 222-4924
- Codice costruttore:
- IPP60R022S7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 222-4924
- Codice costruttore:
- IPP60R022S7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 23A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IPP60R | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 390W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.57mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Altezza | 9.45mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 23A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IPP60R | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 390W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.57mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Altezza 9.45mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il design Infineon ottimizzato per basse perdite di conduzione, il MOSFET SuperJunction 600V CoolMOS™ S7 (IPP60R022S7) IN TO-220 offre la migliore RDS(ON) x prezzo per applicazioni a bassa frequenza di commutazione, come raddrizzatori a ponte attivi, stadi inverter, relè di spunto, PLC, linee CC HV, relè a stato solido di alimentazione e interruttori automatici a stato solido. Il MOSFET S7 CoolMOS™ 600V SJ raggiunge una maggiore efficienza energetica e riduce i costi BOM.
Riduce al minimo le perdite di conduzione
Aumentare l'efficienza energetica
Design più compatti e semplici
Eliminare o ridurre il dissipatore di calore nella progettazione a stato solido
Costo totale di proprietà (TCO) o costo della distinta materiali (BOM) ridotti
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