MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R022S7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4924
Codice costruttore:
IPP60R022S7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPP60R

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

390W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.45mm

Larghezza

4.57 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.36mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon ottimizzato per basse perdite di conduzione, il MOSFET SuperJunction 600V CoolMOS™ S7 (IPP60R022S7) IN TO-220 offre la migliore RDS(ON) x prezzo per applicazioni a bassa frequenza di commutazione, come raddrizzatori a ponte attivi, stadi inverter, relè di spunto, PLC, linee CC HV, relè a stato solido di alimentazione e interruttori automatici a stato solido. Il MOSFET S7 CoolMOS™ 600V SJ raggiunge una maggiore efficienza energetica e riduce i costi BOM.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Aumentare l'efficienza energetica

Design più compatti e semplici

Eliminare o ridurre il dissipatore di calore nella progettazione a stato solido

Costo totale di proprietà (TCO) o costo della distinta materiali (BOM) ridotti

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